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SIHB21N60EF	文件：322.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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SIHFP21N60L	文件：162.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES ?SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG21N60EF	文件：445.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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SIHP21N60EF	文件：163.05 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode FEATURES ?FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?IncreasedrobustnessduetolowQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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