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SIGC158T120R3

IGBT3 Chip

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIGC158T120R3L

HighSpeed 2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

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SIGC158T120R3E

positive temperature coefficient

InfineonInfineon Technologies AG

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SIGC158T120R3E

TRENCHSTOPTM IGBT3 Chip

InfineonInfineon Technologies AG

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SIGC158T120R3E_15

TRENCHSTOPTM IGBT3 Chip

InfineonInfineon Technologies AG

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SIGC158T120R3L

IGBT3 Chip

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIGC158T120R3LE

positive temperature coefficient

InfineonInfineon Technologies AG

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SIGC158T120R3LE

TRENCHSTOPTM IGBT3 Chip

InfineonInfineon Technologies AG

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SIGC158T120R3LE_15

TRENCHSTOPTM IGBT3 Chip

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SIGC158T120R3LEX1SA2

Package:模具;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 150A DIE

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SIGC158T120R3

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 1200V 150A IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
N/A
15000
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨
詢價
INFINEON
23+
1
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢價
INFINEON
23+
1
7000
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
N/A
9000
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)
詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
45000
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十
詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價
Infineon Technologies
2022+
模具
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
INFINEON
23+
--
14253
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,
詢價
Infineon Technologies
24+
模具
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
詢價
更多SIGC158T120R3供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 9:02:00