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SIGC158T120R3LE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
SIGC158T120R3LE |
| 參數(shù)屬性 | SIGC158T120R3LE 封裝/外殼為模具；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 150A DIE |
| 功能描述 | positive temperature coefficient |
| 文件大小 |
196.6 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-6 8:50:00 |
SIGC158T120R3LE規(guī)格書詳情
SIGC158T120R3LE屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SIGC158T120R3LE晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
SIGC158T120R3LEX1SA2
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，150A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
IGBT 1200V 150A DIE
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
7000 |
詢價 | ||||
Infineon Technologies |
2022+ |
模具 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
N/A |
15000 |
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
N/A |
9000 |
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu) |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
-- |
14253 |
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十, |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價 |
