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首頁>SIE802DF-T1-E3>芯片詳情
SIE802DF-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V柒號芯城
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SIE802DF-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
連小若
- 手機:
18922805453
- 詢價:
- 電話:
0755-83663056
- 傳真:
0755-83209937
- 地址:
福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓
相近型號
- SIE844DF-T1-E3
- SIE20031
- SIEMENS462
- SIE03-30
- SIF10N65F
- SIE01-03
- SIF12N65F
- SIDR870ADP-T1-GE3
- SIF13N50F
- SIDR680DP-T1-GE3
- SIF15N65F
- SIDR680ADP-T1-RE3
- SIF18N65F
- SIDR668DP-T1-GE3
- SIF1N60C
- SIDR668ADP-T1-RE3
- SIF20N65F
- SIDR638DP-T1-GE3
- SIF-21.4+
- SIDR626LEP-T1-RE3
- SIF-30+
- SIDR626LDP-T1-RE3
- SIF-40+
- SIDR626DP-T1-GE3
- SIF4N65D
- SIDR622DP-T1-RE3
- SIF4N65F
- SIDR622DP-T1-GE3
- SIF-50+
- SIDR608EP-T1-RE3
- SIF-60+
- SIDR608DP-T1-RE3
- SIF65R360FP
- SIDR402EP-T1-RE3
- SIF-70+
- SIDR392DP-T1-GE3
- SIDR220EP-T1-RE3
- SIF7N65F
- SIDR220DP-T1-GE3
- SIF8N65F
- SIDR170DP-T1-RE3
- SIF902EDZ-T1-GE3
- SIDR140DP-T1-GE3
- SIF912EDZ-T1-E3
- SIDR104AEP-T1-RE3
- SIF912EDZ-T1-GE3
- SIDR104ADP-T1-RE3
- SIF9N65F
- SIDN5C4-16G
- SIFB740377-00