首頁(yè)>SI7252DP-T1-GE3>芯片詳情

SI7252DP-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET京北通宇電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SI7252DP-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    con

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-23 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：SI7252DP-T1-GE3品牌：VISHAY

查現(xiàn)貨到京北通宇商城

  • 芯片型號(hào)：

    SI7252DP-T1-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    13 頁(yè)

  • 文件大小：

    523.2 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI7252DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    北京京北通宇電子元件有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    洪先生

  • 手機(jī)：

    17862669251

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    17862669251

  • 地址：

    北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505

相近型號(hào)