首頁>SI4936ADY-T1-GE3>芯片詳情

SI4936ADY-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V中天科工一部

SI4936ADY-T1-GE3

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    SI4936ADY-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數(shù)量:

    30000

  • 產(chǎn)品封裝:

    8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+

  • 庫存類型:

    熱賣庫存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-25 19:38:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):SI4936ADY-T1-GE3品牌:Vishay Siliconix

晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品

  • 芯片型號(hào):

    SI4936ADY-T1-GE3

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱:

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說明:

    MOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    SI4936ADY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    中天科工半導(dǎo)體(深圳)有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李先生

  • 手機(jī):

    13128990370

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    13128990370/微信同號(hào)

  • 傳真:

    原裝正品

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B