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SI4829DY-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC驚羽8部

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1000+
  • 廠家型號:

    SI4829DY-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數(shù)量:

    83500

  • 產(chǎn)品封裝:

    SOP-8.貼片

  • 生產(chǎn)批號:

    24+25+/26+27+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-24 16:16:00

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原廠料號:SI4829DY-T1-GE3品牌:VISHAY-威世

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  • 芯片型號:

    SI4829DY-T1-GE3

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱:

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說明:

    MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    SI4829DY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    LITTLE FOOT®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市驚羽科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    劉先生

  • 手機(jī):

    13147005145

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    131-4700-5145

  • 傳真:

    075583040836

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2031室