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SI4816BDY-T1-GE3

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)=19m2(typ.)@VGs=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGS=4.5V Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGs=10V GS RDSON=14m2(typ.)@V=4.5V DS'ON ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

SI4816BDY-T1-GE3

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

TPSI4816BDY-T1-GE3

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)19m2(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGs=4.5V ●Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGS=10V RDSON=14m2(typ.)@VGs=4.5V ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI4816BDY-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SI4816BDY-T1-GE3供應商 更新時間2025-1-11 14:02:00

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