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SI4925BDY-T1-E3

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches ???-NotebookPCs ???-DesktopPCs ???-GameStations

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI4925BDY-T1-E3

Dual P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=-30V,ID=-9A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SI4925BDY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SI4925BDY-T1-E3供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 17:34:00