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SI4410DYPBF

HEXFET?Power MOSFET

Description ThisN-channelHEXFET?PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-

IRF

International Rectifier

SI4410DYPBF

N-Channel MOSFET

Description ThisN-channelHEXFET?PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-

IRF

International Rectifier

SI4410DYPBF

Simple Drive Requirements

IRF

International Rectifier

SI4410DYPBF_15

Simple Drive Requirements

IRF

International Rectifier

SI4410DY-REVA

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ??TrenchFETPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI4410DYTRPBF

N-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SI4410DYTRPBF

N-ChannelMOSFET

Description ThisN-channelHEXFET?PowerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowonresistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO-

IRF

International Rectifier

SQ4410EY

AutomotiveN-Channel30V(D-S)175?CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SQ4410EY

AutomotiveN-Channel30V(D-S)175°CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SQ4410EY

AutomotiveP-Channel30V(D-S)175?CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SQ4410EY

AutomotiveN-Channel30V(D-S)175°CMOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SSG4410

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSG4410

N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSG4410J

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSG4410J-C

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSG4410N

N-Channel20V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SSG4410N

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

SSG4410N

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

DESCRIPTION TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovidelowRDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssuchascomputers,p

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSM4410

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

SSM4410

N-Channel20V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SI4410DYPBF

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
58900
詢價
IR
23+
SOP8
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
INFINEON
1651+
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7500
只做原裝進(jìn)口,假一罰十
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Infineon
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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SOP-8
98215
只要網(wǎng)上有絕對有貨!只做原裝正品!
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23+
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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20+
SOP-8
43000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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International Rectifier
2022+
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全新原裝 貨期兩周
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更多SI4410DYPBF供應(yīng)商 更新時間2024-10-26 15:30:00

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