首頁(yè)>SI4410DYPBF>規(guī)格書(shū)詳情

SI4410DYPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SI4410DYPBF
廠商型號(hào)

SI4410DYPBF

功能描述

HEXFET?Power MOSFET

文件大小

119.18 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-5-20 23:00:00

人工找貨

SI4410DYPBF價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

SI4410DYPBF規(guī)格書(shū)詳情

Description

This N-channel HEXFET? Power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low onresistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications.

The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced thermal characteristics that allow power dissipation of greater that 800mW in typical board mount applications.

● N-Channel MOSFET

● Low On-Resistance

● Low Gate Charge

● Surface Mount

● Logic Level Drive

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI4410DYPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR(國(guó)際整流器)
24+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
詢價(jià)
IR
20+
SOP-8
43000
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
詢價(jià)
VISHAY/威世
21+
SOP-8
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
IR
23+
SOP8
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
IR
1742+
SOP-8
98215
只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品!
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2022+
95
6600
只做原裝,假一罰十,長(zhǎng)期供貨。
詢價(jià)
IR
24+
58900
詢價(jià)
Infineon Technologies
22+
8SOIC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
INFINEON
1651+
?
7500
只做原裝進(jìn)口,假一罰十
詢價(jià)
IR
22+
SOP-8
25000
只有原裝原裝,支持BOM配單
詢價(jià)