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SI4286DY-T1-GE3

Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter ??-ExternalHDD ??-NotebookSystem ?LCDDisplayBackligh

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI4286DY-T1-GE3

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100RgandUIStested

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    SI4286DY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 40 Volts 7 Amps 2.9 Watts

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期
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更多SI4286DY-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 11:58:00