首頁>SI2308DS-T1-GE3>芯片詳情

SI2308DS-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V得捷芯城科技

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    SI2308DS-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數(shù)量：

    64298

  • 產(chǎn)品封裝：

    標準封裝

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時間：

    2024-12-27 20:00:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SI2308DS-T1-GE3品牌：Vishay(威世)

原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期

  • 芯片型號：

    SI2308DS-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導體（臺灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    1031.56 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI2308DS-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機：

    19076157484

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82539558

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號世貿(mào)廣場A座5層

相近型號