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SI1441EDH-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SI1441EDH-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI1441EDH-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET -20V 41mOhm@4.5V 4A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VBSEMI
19+
US6
22338
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VISHAY/威世
24+
SC70-6
45000
熱賣優(yōu)勢現(xiàn)貨
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VISHAY/威世
2019+PB
SC70-6
41120
原裝正品 可含稅交易
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Vishay(威世)
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VISHAY/威世
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SC70-6
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多SI1441EDH-T1-GE3供應商 更新時間2024-10-23 16:04:00

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