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SI1903DL-T1-GE3

VISHAY
SC70-6

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

相關(guān)企業(yè)：深圳兆威電子有限公司

SI1903DL-T1-GE3

VISHAY
SC70-6

TFUNKVishay Telefunken

威世威世（VISHAY）集團

相關(guān)企業(yè)：深圳兆威電子有限公司

SI1903DL-T1-GE3

VISHAY
SC70-6

BARRY

Vishay Barry

相關(guān)企業(yè)：深圳兆威電子有限公司

SI1903DL-T1-GE3

V
SOT-363

VIAVIA Technologies, Inc.

威盛電子威盛電子（中國）有限公司

相關(guān)企業(yè)：深圳市華來深電子有限公司

SI1903DL-T1-GE3

V
SOT-363

V3

V3 Semiconductor

相關(guān)企業(yè)：深圳市華來深電子有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI1903DL-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多SI1903DL-T1-GE3供應(yīng)商 更新時間2025-5-24 8:51:00

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