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FGI40N60SFTU

600V,40AFieldStopIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

G40N60

Ultra-FastIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

G40N60UFD

UltrafastIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HMG40N60A

40A,600Vinsulatedgatebipolartransistor

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HMG40N60T

600V,40A,TrenchFSIIIGBT

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

IGW40N60DTP

600VDuoPackIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGW40N60TP

TRENCHSTOPTMPerformancetechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGW40N60TP

600VDuoPackIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW40N60R

ReverseconductingIGBT

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW40N60RF

Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SGW40N60UFTM

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
英飛凌
24+
TO247
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
英飛凌
21+
TO247
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO247
20000
原裝現(xiàn)貨,實單支持
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
NA/
17138
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO247
20000
原裝現(xiàn)貨,實單支持
 詢價
ADI
23+
TO247
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
1932+
TO-247
443
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
安森美
24+
DPAK
3532
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO-247
87131
詢價
INFINEON
24+
TO-247
6000
公司渠道現(xiàn)貨
 詢價
更多SGW40N60UFTM供應(yīng)商 更新時間2025-4-8 10:19:00

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