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SGU20N40L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

SGU20N40L
廠商型號(hào)

SGU20N40L
參數(shù)屬性

SGU20N40L 封裝/外殼為T(mén)O-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 400V 45W IPAK
功能描述

High input impedance
封裝外殼

TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
文件大小

149.23 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Fairchild【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱(chēng)

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-21 18:25:00
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SGU20N40L規(guī)格書(shū)詳情

General Description

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench gate structure provide superior conduction and switching performance in comparison with transistors having a planar gate structure. They also have wide noise immunity. These devices are very suitable for strobe applications

Features

? High input impedance

? High peak current capability (150A)

? Easy gate drive

? Surface Mount : SGR20N40L

? Straight Lead : SGU20N40L

Application

Strobe flash.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGU20N40LTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    8V @ 4.5V，150A

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    I-PAK

  • 描述：

    IGBT 400V 45W IPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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