SGU20N40L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SGU20N40L |
| 參數(shù)屬性 | SGU20N40L 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 400V 45W IPAK |
| 功能描述 | High input impedance |
| 封裝外殼 | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 文件大小 |
149.23 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-18 23:00:00 |
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SGU20N40L規(guī)格書詳情
General Description
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench gate structure provide superior conduction and switching performance in comparison with transistors having a planar gate structure. They also have wide noise immunity. These devices are very suitable for strobe applications
Features
? High input impedance
? High peak current capability (150A)
? Easy gate drive
? Surface Mount : SGR20N40L
? Straight Lead : SGU20N40L
Application
Strobe flash.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
SGU20N40LTU
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
8V @ 4.5V，150A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
I-PAK
- 描述：
IGBT 400V 45W IPAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
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