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SGP20N60HS	文件：426.22 Kbytes Page：11 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: ??-parallelswitchingcapability ??-moderateEoffincreasewithtemperature ??-	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGP20N60HS	文件：388.34 Kbytes Page：12 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGP20N60HS_09	文件：388.34 Kbytes Page：12 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGP20N60HSXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 36A 178W TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGP20N60RUF	文件：540.1 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGW20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW20N60	文件：538.99 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SGW20N60	文件：275.85 Kbytes Page：12 Pages	FastS-IGBTinNPT-technology FastS-IGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistributio	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SKW20N60	文件：400.86 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicatio	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKW20N60	文件：321.44 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKW20N60HS	文件：352.06 Kbytes Page：14 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SKW20N60HS	文件：358.3 Kbytes Page：14 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPA20N60CFD	文件：471.68 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPA20N60CFD	文件：260.13 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPA20N60CFD	文件：293.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelylowreverserecoverycharge ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Periodicavalancherated ?Qualifiedforindustrialgradeapplicationsaccording	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPA20N60CFD	文件：654.59 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI20N60CFD	文件：330.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.22? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SGP20N60HS
功能描述：
IGBT 晶體管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多SGP20N60HS供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-28 10:11:00

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