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SKW20N60HS

High Speed IGBT in NPT-technology

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKW20N60HS

High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation

InfineonInfineon Technologies AG

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SKW20N60HS_08

High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation

InfineonInfineon Technologies AG

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SKW20N60HSFKSA1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 36A 178W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

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SPA20N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPA20N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelylowreverserecoverycharge ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Periodicavalancherated ?Qualifiedforindustrialgradeapplicationsaccording

InfineonInfineon Technologies AG

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SPA20N60CFD

CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPA20N60CFD

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplication

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPI20N60CFD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.22? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPI20N60CFD

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelowreverserecoverycharge ?Pb-freeleadplating;

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SKW20N60HS

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
24+
TO-247
3664
原廠直供,支持賬期,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持
 詢(xún)價(jià)
Infineon(英飛凌)
24+
TO-247
14456
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
24+
P-TO247-3-1
8866
詢(xún)價(jià)
INFINEON
100
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
2016+
TO-247
2600
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
23+
IGBT單管
5000
原裝正品,假一罰十
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
24+
原廠原封
5000
深圳現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
Infineon
1844+
LQFP
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
 詢(xún)價(jià)
英飛翎
20+
TO-247
36900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢(xún)價(jià)
更多SKW20N60HS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 23:00:00

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