首頁 >SGH30N60RUFTU>規(guī)格書列表
零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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SGH30N60RUFTU | 包裝:管件 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 48A 235W TO3P | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | |
FastIGBTinNPT-technology | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
FastIGBTinNPT-technology | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
FastIGBTinNPT-technology | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HIGHTSPEEDIGBTCHIPINNPT-TECHNOLOGY | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
FastIGBTinNPT-technology | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
FastIGBTinNPT-technology | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
FastIGBTinNPT-technology | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
ELSeriesPowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
ESeriesPowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
ESeriesPowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
ESeriesPowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ? | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
ESeriesPowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
ESeriesPowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
ESeriesPowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
SGH30N60RUFTU
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,30A
- 開關能量:
919μJ(開),814μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
30ns/54ns
- 測試條件:
300V,30A,7 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供應商器件封裝:
TO-3PN
- 描述:
IGBT 600V 48A 235W TO3P
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC/ON |
23+ |
原包裝原封 □□ |
1164 |
原裝進口特價供應 QQ 1304306553 更多詳細咨詢 庫存 |
詢價 | ||
ON |
1503+ |
TO-3P |
3000 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
FAIRCHILD仙童 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO3P |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-3PN |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
Fairchild仙童 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
Fairchild仙童 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
Fairchild/ON |
23+ |
TO3P |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Fairchild仙童 |
24+ |
TO-3P |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
SEC |
22+ |
TO-3P |
28600 |
只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級代理 |
詢價 |
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