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SGW30N60	文件：335.72 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW30N60	文件：367.38 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW30N60	文件：425.17 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW30N60HS	文件：389.58 Kbytes Page：12 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW30N60FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT NPT 600V 41A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SGW30N60HSFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 41A 250W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SIHA30N60AEL	文件：119.64 Kbytes Page：7 Pages	ELSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB30N60E	文件：199.83 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF30N60E	文件：171.33 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF30N60E	文件：184.07 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF30N60E	文件：319.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHF30N60E	文件：163.07 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiHFPS30N60K	文件：138.37 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG30N60E	文件：170.18 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG30N60E	文件：176.64 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG30N60E	文件：209.41 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG30N60E	文件：382.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHP30N60AEL	文件：118.31 Kbytes Page：7 Pages	ELSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP30N60E	文件：166.49 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP30N60E	文件：208.1 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
SGW30N60
功能描述：
IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SGW30N60	Infineon(英飛凌)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	16048	原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。	詢價
深圳市浩睿澤電子科技有限公司	SGW30N60	英飛凌	新批次	N/A	1500		詢價
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	SGW30N60	INFINEON	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	SGW30N60	INFINEON	24+	P-TO247-3-1	8866		詢價
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更多SGW30N60供應(yīng)商更新時間2024-10-25 9:46:00

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