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IXTC200N10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTC200N10T

TrenchMVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTF200N10T

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

IXTH200N10T

TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

IXTH200N10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTK200N10P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTK200N10P

PolarHTTMPowerMOSFET

PolarHT?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

IXTN200N10T

TrenchMVTMPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ200N10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTQ200N10T

TrenchMVTMPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    RSD200N10TL

  • 功能描述：

    MOSFET Nch; 20W; 100V; 20A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Rohm
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Rohm Semiconductor
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TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片
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更多RSD200N10TL供應(yīng)商 更新時間2025-4-12 14:04:00

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