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RQA0009SXAQS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

RQA0009SXAQS
廠商型號(hào)

RQA0009SXAQS

參數(shù)屬性

RQA0009SXAQS 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 16V 3.2A UPAK

功能描述

Silicon N-Channel MOS FET

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

200.65 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-19 17:19:00

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RQA0009SXAQS規(guī)格書詳情

Features

High Output Power, High Gain, High Efficiency

Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65

(VDS = 6 V, f = 520 MHz)

Compact package capable of surface mounting

Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RQA0009SXAQS#H1

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    3.2A(Ta)

  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):

    800mV @ 1mA

  • Vgs(最大值):

    ±5V

  • 功率耗散(最大值):

    15W(Tc)

  • 工作溫度:

    150°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    UPAK

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 描述:

    MOSFET N-CH 16V 3.2A UPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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