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RQA0005QXDQS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
RQA0005QXDQS |
參數(shù)屬性 | RQA0005QXDQS 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 16V 800MA UPAK |
功能描述 | Silicon N-Channel MOS FET |
封裝外殼 | TO-243AA |
文件大小 |
196.91 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-8 13:18:00 |
人工找貨 | RQA0005QXDQS價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
RQA0005QXDQS規(guī)格書詳情
Features
? High Output Power, High Gain, High Efficiency
Pout = +33 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68 (f = 520 MHz)
? Compact package capable of surface mounting
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
RQA0005QXDQS#H1
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- FET 類型:
N 通道
- 技術(shù):
MOSFET(金屬氧化物)
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
800mA(Ta)
- 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):
750mV @ 1mA
- Vgs(最大值):
±5V
- 功率耗散(最大值):
9W(Tc)
- 工作溫度:
150°C
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝:
UPAK
- 封裝/外殼:
TO-243AA
- 描述:
MOSFET N-CH 16V 800MA UPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
20+ |
SOT-89 |
204 |
進口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-89 |
204 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-89 |
3000 |
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詢價 | ||
RENESAS |
18+ |
SOT-89 |
85600 |
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詢價 | ||
RENESAS |
SOT-89 |
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詢價 | |||
RENESAS |
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SOT-89 |
8800 |
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詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
SOT-89 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
詢價 | ||
RENESAS |
24+ |
SOT-89 |
80000 |
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詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
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24+ |
N/A |
48000 |
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詢價 |