首頁>RN1111MFV>規(guī)格書詳情

RN1111MFV分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN1111MFV
廠商型號

RN1111MFV

參數屬性

RN1111MFV 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor)

封裝外殼

SOT-723

文件大小

361.91 Kbytes

頁面數量

6

生產廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-27 23:00:00

RN1111MFV規(guī)格書詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

? Ultra-small package, suited to very high density mounting

? Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so

enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly

cost.

? A wide range of resistor values is available for use in various circuits.

? Complementary to the RN2110MFV, RN2111MFV

產品屬性

  • 產品編號:

    RN1111MFV,L3F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應商器件封裝:

    VESM

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
72000
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
TOSHIBA
2016+
SOT-723
18660
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
詢價
TOSHIBA/東芝
24+
NA
990000
明嘉萊只做原裝正品現貨
詢價
TOSHIBA
SOT-723
30000
集團化配單-有更多數量-免費送樣-原包裝正品現貨-正規(guī)
詢價
SOT-423
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
詢價
TOSHIBA
22+23+
New
32891
絕對原裝正品現貨,全新深圳原裝進口現貨
詢價
TOSHIBA/東芝
1535+
8000
詢價
TOSHIBA
24+
SOT-523
200000
詢價
TOSHIBA
1645+
?
6500
只做原裝進口,假一罰十
詢價
Toshiba
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價