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RN1110MFV中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RN1110MFV
廠商型號

RN1110MFV

參數(shù)屬性

RN1110MFV 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor)

文件大小

361.91 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-5 14:32:00

RN1110MFV規(guī)格書詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

? Ultra-small package, suited to very high density mounting

? Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so

enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly

cost.

? A wide range of resistor values is available for use in various circuits.

? Complementary to the RN2110MFV, RN2111MFV

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RN1110MFV,L3F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    VESM

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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