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RLFGB20N65CT	文件：719.51 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL IGBT FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology, ?saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.6V,IC=20AandTC=25°C APPLICATIONS ?Generalpurposeinverters ?UPS	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
20N65	文件：133.81 Kbytes Page：3 Pages	20A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC20N65isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
20N65A	文件：891.65 Kbytes Page：6 Pages	20A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
20N65Y	文件：481.89 Kbytes Page：7 Pages	20Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司	CHONGQING
AM20N65	文件：1.47166 Mbytes Page：11 Pages	MOSFET650V,20AN-CHANNEL FEATURE ?ProprietaryNewPlanarTechnology ?RDS(ON),typ.typ.=0.38?@VGS=10V ?LowGateChargeMinimizeSwitchingLoss ?FastRecoveryBodyDiode DESCRIPTION TheAM20N65isavailableinTO220andTO220F Packages. APPLICATIONS ?Adaptor ?TVMainPower ?SMPSPowerSupply ?LCDPanel	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
CEB20N65S	文件：659.3 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB20N65SA	文件：529.61 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB20N65SF	文件：400.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. Fastreverserecoverytime. Drivecircuitscanbesimple.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CECS20N65LN	文件：500.16 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,19A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CECS20N65SA	文件：633.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,19A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF20N65S	文件：659.3 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEP20N65S	文件：659.3 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEW20N65SA	文件：455.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V@TJmax,20A,RDS(ON)=0.18W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-247package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FIR20N65AFG	文件：2.68488 Mbytes Page：8 Pages	LowIntrinsicCapacitances	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR20N65FG	文件：8.63665 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
HM20N65F	文件：875.53 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI

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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	RLFTR002J9		23+		11200	原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO	詢(xún)價(jià)
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