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RJP60F4DPM

600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

Features ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Trenchgateandthinwafertechnology ●Highspeedswitching

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RJP60F4DPM_15

600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

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RJP60F4DPM-00#T1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-220-3 整包 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM

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RJH60F4DPK

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

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RJH60F4DPK

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=80nstyp.(atIC=

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    RJP60F4DPM

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
瑞薩
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TO-3PFM
6000
原裝正品,支持實(shí)單
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Renesas Electronics America
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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RENESAS/瑞薩
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RENESAS/瑞薩
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TO-247
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原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
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更多RJP60F4DPM供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-19 16:35:00