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RJP60F4DPM-00#T1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-瑞薩

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原廠料號：RJP60F4DPM-00#T1品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說明：IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM

RJP60F4DPM-00#T1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商RENESAS/瑞薩生產(chǎn)封裝TO-220-3 整包的RJP60F4DPM-00#T1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    rjp60f4dpm-00%23t1

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 資料說明：

    IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RJP60F4DPM-00#T1

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.82V @ 15V，30A

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    45ns/70ns

  • 測試條件：

    400V，30A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PFM

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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