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RJP60F0DPM

600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching

600V-25A-IGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching

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RJP60F0DPM

600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching

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RJP60F0DPM_15

600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching

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RJP60F0DPM-00#T1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-220-3 整包 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM

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RJH60F0DPK

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features ?LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitchingtf=90nstyp.(atIC=30A,VCC=400V,VGE=15V,Rg=5Ω,Ta=

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RJP60F0DPE

600V-25A-IGBTHighSpeedPowerSwitching

600V-25A-IGBTHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=90nstyp.(atIC=30A,VCE

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    RJP60F0DPM

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
瑞薩
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TO3PFM
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RENESAS/瑞薩
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TO-3PFM
6000
原裝正品,支持實(shí)單
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Renesas Electronics America
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TO-3PFM
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多RJP60F0DPM供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-19 16:35:00