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RJK6015DPM	文件：86.96 Kbytes Page：7 Pages	600V - 21A - MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.315Ωtyp.(atID=10.5A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJK6015DPM-00T1	文件：86.96 Kbytes Page：7 Pages	600V - 21A - MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.315Ωtyp.(atID=10.5A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJK6015DPM_15	文件：86.97 Kbytes Page：7 Pages	600V - 21A - MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJL6015DPK	文件：173.84 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJQ6015DPM	文件：117.41 Kbytes Page：10 Pages	600V-18A-IGBTandDiodeApplication:Inverter Features ?Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(atIC=37A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
S6015L	文件：171.73 Kbytes Page：1 Pages	iscThyristors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
S6015L	文件：222.45 Kbytes Page：12 Pages	SCRs GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Teccor Teccor Electronics	Teccor
S6015L	文件：1.60012 Mbytes Page：12 Pages	SCRs1-70AMPSNON-SENSITIVEGATE Features ●ElectricallyIsolatedPackages ●HighVoltageCapability-30-600Volts ●HighSurgeCapability-upto950Amps ●GlassPassivatedChip	Teccor Teccor Electronics	Teccor
S6015L	文件：212.84 Kbytes Page：12 Pages	SCRs(1Ato70A) GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S6015L	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant,Electrically-isolatedpackage	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
SBT-BGA-6015	文件：199.03 Kbytes Page：3 Pages	Lowandstablecontactresistanceforreliableproductionyield	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
SEL6015	文件：426.75 Kbytes Page：2 Pages	3phiRoundNarrowViewingAngleLEDs	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會(huì)社	Sanken
SEL6015	文件：25.38 Kbytes Page：1 Pages	3phiRoundNarrow-directivityLED(DirectMount) 3φRoundNarrowViewingAngleLEDs SEL6015Series(availableasDirectMount)	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會(huì)社	Sanken
SG-BGA-6015	文件：115.86 Kbytes Page：4 Pages	Easilyremovableswivelsocketlid	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
SG-BGA-6015DWG	文件：115.86 Kbytes Page：4 Pages	Ballguidepreventsovercompressionofelastomer	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
SP-6015	文件：507.98 Kbytes Page：2 Pages	Slim,FanlessandLowerPowerwith10.4/12.1/15Multi-touchFlatPanelPC	PROTECHSYSTEMS Protech Systems Co., Ltd.	PROTECHSYSTEMS
SP-6015	文件：507.98 Kbytes Page：2 Pages	Slim,FanlessandLowerPowerwith10.4/12.1/15Multi-touchFlatPanelPC	PROTECHSYSTEMS Protech Systems Co., Ltd.	PROTECHSYSTEMS
STB6015	文件：78.26 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STB6015	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU6015	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
RJK6015DPM
制造商：
RENESAS
制造商全稱：
Renesas Technology Corp
功能描述：
600V - 21A - MOS FET High Speed Power Switching

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更多RJK6015DPM供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-2 14:25:00

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