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RJK6024DPD

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=28Ωtyp.(atID=0.2A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6024DPD

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

RJK6024DPD

600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6024DPD-00-J2

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=28Ωtyp.(atID=0.2A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6024DPD_12

600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6024DPD_15

600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6024DPD-00J2

600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJK6024DPE

600V-0.4A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=28Ωtyp.(atID=0.2A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Lowleakagecurrent ?Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

SBT-BGA-6024

Easilyremovableswivellid

IRONWOOD

Ironwood Electronics.

SG-BGA-6024

Ballguidepreventsovercompressionofelastomer

IRONWOOD

Ironwood Electronics.

SLA6024

PNPNPNDarlington3-phasemotordrive

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

SLA6024

PNPNPNDarlington3-phasemotordrive

PNP+NPNDarlington3-phasemotordrive

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

SLA6024

PNPNPNDarlington3-phasemotordrive

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

SM6024NSF

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

SINOPWERSinopower Semiconductor Inc

大中集成電路大中集成電路股份有限公司

SM6024NSFC-TUG

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

SINOPWERSinopower Semiconductor Inc

大中集成電路大中集成電路股份有限公司

STB6024

SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

EIC

EIC discrete Semiconductors

STB6024

SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

EIC

EIC discrete Semiconductors

STU6024

SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: *600Wsurgecapabilityat1ms *Excellentclampingcapability *Lowzenerimpedance *Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) *TypicalIRlessthen1mAabove10V *Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

STU6024

SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

EIC

EIC discrete Semiconductors

SZ6024

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

EIC

EIC discrete Semiconductors

詳細參數(shù)

  • 型號：

    RJK6024DPD

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
2020+
TO-252
38320
公司代理品牌,原裝現(xiàn)貨超低價清倉!
 詢價
R
2020+
TO-252
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
RENESAS/瑞薩
22+
TO-252
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
VBsemi/臺灣微碧
22+
TO-252
28600
只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級代理
 詢價
R
23+
TO-252
10000
公司只做原裝正品
 詢價
RENESAS/瑞薩
2022+
TO-252
32500
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
R
23+
TO-252
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
VBsemi
21+
TO252
10026
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
st
2023+
TO-252
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
VBSEMI/臺灣微碧
24+23+
TO-252
12580
16年現(xiàn)貨庫存供應商終端BOM表可配單提供樣品
 詢價
更多RJK6024DPD供應商 更新時間2024-10-26 13:50:00

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