首頁(yè)>RFD12N06RLESM>芯片詳情

RFD12N06RLESM_INFINEON/英飛凌_MOSFET N D-PAK賽能新源

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    RFD12N06RLESM

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    56000

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO252-2

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-6 15:44:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):RFD12N06RLESM品牌:INFINEON/英飛凌

公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持

  • 芯片型號(hào):

    RFD12N06RLESM

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱:

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    49.12 kb

  • 資料說(shuō)明:

    12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    RFD12N06RLESM

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述:

    MOSFET N D-PAK

  • 功能描述:

    MOSFET, N, D-PAK

  • 功能描述:

    MOSFET, N, D-PAK; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    17A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    60V; On Resistance

  • Rds(on):

    70mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    3V; Power Dissipation

  • Pd:

    49W ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市賽能新源半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    朱樺

  • 手機(jī):

    13510673492

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    13510673492

  • 地址:

    福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路華康大院2棟518