R1RP0408DGE 集成電路（IC）存儲器 3D-PLUS

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1+	面議

廠家型號：
R1RP0408DGE
產品分類：
集成電路（IC） > 存儲器
生產廠商：
3D-PLUS
庫存數量：
5000
產品封裝：
SOJ36
生產批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-6 14:48:00

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詳細信息
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原廠料號：R1RP0408DGE品牌：3D-PLUS

公司只做原裝,可配單

R1RP0408DGE是集成電路（IC） > 存儲器。制造商3D-PLUS/Renesas Electronics America Inc生產封裝SOJ36/36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）的R1RP0408DGE存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
R1RP0408DGE-2LR
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
RENESAS【瑞薩】詳情
廠商全稱：
Renesas Technology Corp
中文名稱：
瑞薩科技有限公司
內容頁數：
14 頁
文件大?。?/span>
86.62 kb
資料說明：
4M High Speed SRAM (512-kword ?8-bit)

產品屬性

類型
描述
產品編號：
R1RP0408DGE-2LR#B1
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術：
SRAM
存儲容量：
4Mb（512K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
12ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
供應商器件封裝：
36-SOJ
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

供應商

企業(yè)：
深圳市華來深電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
朱先生 /林小姐
手機：
13751106682
詢價：
電話：
0755-83238902
傳真：
0755-83972189
地址：
深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4B35/門市部:深圳市福田區(qū)華強北路國利大廈新亞洲二期N2B227

R1RP0408DGE 集成電路（IC）存儲器 3D-PLUS

R1RP0408DGE

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