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PTB20125中文資料愛立信數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTB20125
廠商型號

PTB20125

功能描述

100 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor

文件大小

235.55 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Ericsson Microelectronics
企業(yè)簡稱

Ericsson愛立信

中文名稱

愛立信公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-18 16:30:00

PTB20125規(guī)格書詳情

Description

The 20125 is an NPN, push-pull RF power transistor intended for 26 Vdc class AB operation from 1.8 to 2.0 GHz. Rated at 100 watts PEP minimum output power, it is specifically intended for operation as a final stage in CDMA or TDMA systems. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization ensure excellent device reliability. 100 lot traceability is standard.

? 100 Watts, 1.8–2.0 GHz

? Class AB Characteristics

? 40 Collector Efficiency at 100 Watts

? Gold Metallization

? Silicon Nitride Passivated

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PTB20125

  • 制造商:

    ERICSSON

  • 制造商全稱:

    Ericsson

  • 功能描述:

    100 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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