PTB20111中文資料愛立信數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
PTB20111 |
| 功能描述 | 85 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor |
| 文件大小 |
47.28 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
3 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Ericsson Microelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Ericsson【愛立信】 |
| 中文名稱 | 愛立信公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-11 11:58:00 |
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PTB20111規(guī)格書詳情
Description
The 20111 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 25 Vdc operation from 860 to 900 MHz. Rated at 85 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used to ensure excellent device reliability. 100 lot traceability is standard.
? 25 Volt, 860–900 MHz Characteristics
- Output Power = 85 Watts
- Collector Efficiency = 50 at 85 Watts
- IMD = -30 dBc Max at 60 W(PEP)
? Class AB Characteristics
? Gold Metallization
? Silicon Nitride Passivated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
PTB20111
- 功能描述：
射頻放大器 RF Bipolar Trans
- RoHS：
否
- 制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
- 類型：
Low Noise Amplifier
- 工作頻率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
- P1dB：
18.5 dBm
- 輸出截獲點(diǎn)：
37.5 dBm
- 功率增益類型：
32 dB
- 噪聲系數(shù)：
0.85 dB
- 工作電源電壓：
5 V
- 電源電流：
125 mA
- 測(cè)試頻率：
2.6 GHz
- 最大工作溫度：
+ 85 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
QFN-16
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
2017+ |
NA |
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