IPP60R360P7XKSA1晶體管FET，MOSFET 通孔 N 通道 650 V 9A

原廠料號：IPP60R360P7XKSA1品牌：INFINEON

零件狀態(tài)

在售

FET 類型

N 通道

技術

MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）

650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

9A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）

360 毫歐 @ 2.7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

4V @ 140μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

13 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

555 pF @ 400 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

41W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

通孔

供應商器件封裝

PG-TO220-3

封裝/外殼

TO-220-3

基本產(chǎn)品編號

IPP60R360

• 芯片型號：

  IPP60R360P7XKSA1

• 規(guī)格書：

  下載

• 企業(yè)簡稱：

  INFINEON【英飛凌】詳情

• 廠商全稱：

  Infineon Technologies AG

• 中文名稱：

  英飛凌科技股份公司

• 資料說明：

  RF & MICROWAVE PRODUCT SOLUTIONS 6.04 - Bulk