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PMEG6030ETP

High-temperature 60 V, 3 A Schottky barrier rectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A ?Reversevoltage:VR≤6

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG6030ETP

High-temperature 60 V, 3 A Schottky barrier rectifier

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PMEG6030ETP-Q

High-temperature 60 V, 3 A Schottky barrier rectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A ?Reversevoltage:VR≤6

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG6030ETP-QX

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:SOD-128 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD128

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG6030ETPX

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:SOD-128 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD128

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG6030EVP

Lowvoltagerectification

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PMEG6030EVP

60V,3ASchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A ?Reversevoltage:VR≤6

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG6030EVP-Q

60V,3ASchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A ?Reversevoltage:VR≤6

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

R6030ENX

Nch600V30APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6030ENX

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

R6030ENZ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

R6030ENZ

Nch600V30APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6030JNZ

Nch600V30APowerMOSFET

Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6030KNX

Nch600V30APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6030KNX

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

R6030KNZ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

R6030KNZ

Nch600V30APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6030MNX

Nch600V30APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

R6030MNX

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

REF6030

High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

詳細參數(shù)

  • 型號:

    PMEG6030ETP

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    DIODE SCHOTTKY 3A 60V SOD128

  • 功能描述:

    DIODE, SCHOTTKY, 3A, 60V, SOD128

  • 功能描述:

    DIODE, SCHOTTKY, 3A, 60V, SOD128, Diode

  • Type:

    Ultrafast Recovery, Diode

  • Configuration:

    Single, Repetitive Reverse Voltage Vrrm

  • Max:

    60V, Forward Current

  • If(AV):

    3A, Forward Voltage VF

  • Max:

    530mV, Reverse Recovery Time trr

  • Max:

    12ns, , RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP(恩智浦)
23+
標準封裝
8648
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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NEXPERIA
22+
原廠
32000
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NEXPERIA
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SOD128
55498
絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨
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Nexperia/安世
22+
SOD128
60000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
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200000
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NEXPERIA/安世
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SOD128
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SOD128
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NEXPERIA/安世
21+
SOD-128
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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NXP(恩智浦)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
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NEXPERIA
21+
SOD128
6000
原裝正品
詢價
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