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PMEG6030EVP-Q	文件：259.61 Kbytes Page：13 Pages	Marking：DB；Package：CFP5；60 V, 3 A Schottky barrier rectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A ?Reversevoltage:VR≤6	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMEG6030EVP-QX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-128；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD128	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
R6030ENX	文件：2.41181 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V30APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
R6030ENX	文件：296.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
R6030ENZ	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
R6030ENZ	文件：945.85 Kbytes Page：13 Pages	Nch600V30APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
R6030JNZ	文件：2.65743 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V30APowerMOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
R6030KNX	文件：2.2318 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V30APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
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R6030KNZ	文件：310.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	PMEG6030EVP-QX		24+	N/A	75000	一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
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