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PINA740BIREMR	文件：1.4142 Mbytes Page：41 Pages	INA740x 85 V, 16-Bit, Precision I2C Output Digital Power Monitor with EZShunt? Technology 1Features ?Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A ?Widecommon-moderange:–0.1Vto+85V ?High-resolution,16-bitdelta-sigmaADC ?Currentmonitoringaccuracy:A/BGrad	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
PINA740BIREMR	文件：2.37007 Mbytes Page：50 Pages	INA740x 85 V, 16-Bit, Precision I2C Output Digital Power Monitor with EZShunt? Technology 1Features ?Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A ?Currentmonitoringaccuracy:A/BGrade, maximum –Offsetcurrent:±6.25mA/±62.5mA –Offsetdrift:±30μA/°C(AandB	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
PLO740	文件：58.44 Kbytes Page：1 Pages	PLLOscillator	AAC American Accurate Components, Inc.	AAC
PWS740	文件：117.11 Kbytes Page：8 Pages	DistributedMulti-ChannelIsolatedDC-TO-DCCONVERTER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
R740C	文件：241.72 Kbytes Page：4 Pages	BARATRONGENERALPURPOSECAPACITANCEMANOMETERSWITHTRIPRELAYS	MKS MKS Instruments.	MKS
RC-740	文件：227.01 Kbytes Page：1 Pages	194UHigh,Full-sizeRackmountChassiswithBackplane/MainBoard,AT/ATXP/S Features ?194Uhigh,rackmountchassiscomplianttoEIARS-310Cstandard ?Detachablecardcageforeasyinstallationandmaintenance ?Provides250W/300W/400WATorATXpowersupply ?Providesbackplaneormainboard ?External:5.25spacex4+3.5spacex1 Internal:3.5sp	BOSERBOSER Technology Co., Ltd Boser Technology	BOSER
RC-740B	文件：227.01 Kbytes Page：1 Pages	194UHigh,Full-sizeRackmountChassiswithBackplane/MainBoard,AT/ATXP/S Features ?194Uhigh,rackmountchassiscomplianttoEIARS-310Cstandard ?Detachablecardcageforeasyinstallationandmaintenance ?Provides250W/300W/400WATorATXpowersupply ?Providesbackplaneormainboard ?External:5.25spacex4+3.5spacex1 Internal:3.5sp	BOSERBOSER Technology Co., Ltd Boser Technology	BOSER
SFF740	文件：530.95 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
SFP740	文件：866.01 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SFP740	文件：517.59 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
SFP740	文件：245.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SIHF740	文件：135.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiHF740	文件：276.83 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiHF740A	文件：286.48 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF740A	文件：158.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?SwitchModePower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF740AL	文件：171.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand ??AvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossspecified(AN1001) ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchMod	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF740AL	文件：238.34 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsincimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF740AS	文件：171.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand ??AvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossspecified(AN1001) ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchMod	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF740AS	文件：1.03822 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies ?Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SIHF740AS	文件：238.34 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsincimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
北京京北通宇電子元件有限公司	PINA819IDRGR	TI	23+	NA	200	儀表放大器	詢價(jià)
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更多PINA740BIREMR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 15:00:00

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