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PHT11N06	文件：75.34 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHT11N06	文件：69.16 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersandgeneral	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHT11N06LT	文件：69.16 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersandgeneral	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHT11N06T	文件：75.34 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
11N06	文件：114.92 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. ThePHP11N06LTissuppliedintheSOT78(TO220AB)conventionalleadedpackage. ThePHB11N06LTissuppliedintheSOT404(D2PAK)surfacemountingpa	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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11N06LTA	文件：114.92 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. ThePHP11N06LTissuppliedintheSOT78(TO220AB)conventionalleadedpackage. ThePHB11N06LTissuppliedintheSOT404(D2PAK)surfacemountingpa	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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PHB11N06LT	文件：76.41 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. ThePHP11N06LTissuppliedintheSOT78(TO220AB)conventionalleadedpackage. ThePHB11N06LTissuppliedintheSOT404(D2PAK)surfacemountingpa	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB11N06LT	文件：344.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.13Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

詳細(xì)參數(shù)

型號：
PHT11N06
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWRMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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