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PINA350CDSIDDFR

INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier

1Features ?Idealforsize,cost,andpowerconsciousdesigns ?Selectablegainoptions –G=10orG=20(INA350ABS) –G=30orG=50(INA350CDS) ?Spacesavingultra-smallpackageoptions –10-pinX2QFN(RUG)–3mm2 –8-pinWSON(DSG)–4mm2 –8-pinSOT23-THN(DDF)–4.64mm2 ?Op

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PINA350CDSIDSGR

INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PINA350CDSIDSGR

INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier

1Features ?Idealforsize,cost,andpowerconsciousdesigns ?Selectablegainoptions –G=10orG=20(INA350ABS) –G=30orG=50(INA350CDS) ?Spacesavingultra-smallpackageoptions –10-pinX2QFN(RUG)–3mm2 –8-pinWSON(DSG)–4mm2 –8-pinSOT23-THN(DDF)–4.64mm2 ?Op

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PLED350S

PLEDUltraLowHoldingCurrentSeries

Description ThisPLEDultra-lowholdingcurrentseriesexhibitsa lowholdingcurrentparameterthatmakesitcompatible withLEDlightingstrings.Theseriesprovideaswitching electroniccharacteristicsforanfluorescenttube replacementbyanLEDstring.Ithelpstomakethe Fluorescent

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

PMXB350UPE

20V,P-channelTrenchMOSFET

Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?LeadlessultrasmallandultrathinSMDpl

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PMXB350UPE

20V,P-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Leadlessultrasmallandultrathi

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PMZ350UPE

20V,P-channelTrenchMOSFET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PMZ350XN

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PMZ350XN

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications nProfile55lowerthanSOT23nFootprint90smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltage nLeadlesspack

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PMZB350UPE

20V,singleP-channelTrenchMOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PFST.350

  • 制造商：

    SCHURTER Inc.

  • 類別：

    電路保護 > PTC 可復位保險絲

  • 系列：

    PFST

  • 包裝：

    散裝

  • 類型：

    聚合物

  • 電壓 - 最大值：

    30V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    用戶自定義

  • 封裝/外殼：

    帶

  • 大小 / 尺寸：

    1.185" 長 x 0.522" 寬（30.10mm x 13.25mm）

  • 厚度（最大值）：

    0.043"（1.10mm）

  • 描述：

    PTC RESET FUSE 30V 3.5A STRAP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SCHURTER
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全新原裝 貨期兩周
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更多PFST.350供應商 更新時間2025-3-26 16:06:00

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