首頁>PMXB350UPE>規(guī)格書詳情
PMXB350UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
廠商型號(hào) |
PMXB350UPE |
功能描述 | 20 V, P-channel Trench MOSFET |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | SOT1215 |
文件大小 |
727.27 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-5 10:00:00 |
PMXB350UPE規(guī)格書詳情
1. General description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small
DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench
MOSFET technology.
2. Features and benefits
? Trench MOSFET technology
? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm
? Exposed drain pad for excellent thermal conduction
? ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV HBM
? Drain-source on-state resistance RDSon = 350 mΩ
3. Applications
? High-side load switch and charging switch for portable devices
? Power management in battery driven portables
? LED driver
? DC-to-DC converter
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
PMXB350UPE
- 制造商:
NXP Semiconductors
- 功能描述:
MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
原裝 |
1923+ |
SOT1215 |
6800 |
只做全新原裝公司現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)惠可談 |
詢價(jià) | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
NXP |
22+ |
3XDFN |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
3-DFN |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
QFN |
500000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT1215 |
9800 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1215 |
10990 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
3-DFN |
25000 |
只有原裝絕對(duì)原裝,支持BOM配單! |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
52000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1215 |
50000 |
原裝正品.假一罰十 |
詢價(jià) |