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PDTB123Y分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTB123Y
廠商型號

PDTB123Y

參數(shù)屬性

PDTB123Y 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 3DFN

功能描述

PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓

封裝外殼

3-XDFN 裸露焊盤

文件大小

138.49 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-24 17:02:00

PDTB123Y規(guī)格書詳情

General description

500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.

Features

■ Built-in bias resistors

■ Reduces component count

■ Simplifies circuit design

■ Reduces pick and place costs

■ 500 mA output current capability

■ ±10 resistor ratio tolerance

Applications

■ Digital application in automotive and industrial segments

■ Cost-saving alternative for BC807 series in digital applications

■ Controlling IC inputs

■ Switching loads

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTB123YQAZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1010D-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 3DFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP(恩智浦)
23+
NA
6000
原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢
詢價
NXP/恩智浦
21+
SOT-883B
8080
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價
Nexperia/安世
22+
SOT23
390000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
詢價
NXP/恩智浦
1535+
393
詢價
Nexperia/安世
23+
SOT-23
9000
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NXP
2020+
SOT-23
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NEXPERIA/安世
2022+
NA
8600
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NEXPERIA/安世
22+
SOT-323
18000
原裝正品
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Nexperia(安世)
2117+
SOT-323
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NXP
1736+
SOT-23
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