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PDTB123TT分立半導體產品晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTB123TT
廠商型號

PDTB123TT

參數屬性

PDTB123TT 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置;產品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

功能描述

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = open
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

文件大小

243.15 Kbytes

頁面數量

11

生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-2 18:34:00

PDTB123TT規(guī)格書詳情

Features

* Built-in bias resistors

* Simplifies circuit design

*500 mA output current capability

* Reduces component count

* Reduces pick and place costs

PDTB123TT屬于分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置。安世半導體(中國)有限公司制造生產的PDTB123TT晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器,設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數量,從而可降低項目成本。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    PDTB123TT,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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