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PD20010STR-E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

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原廠料號：PD20010STR-E品牌：ST

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PD20010STR-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）的PD20010STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    PD20010STR-E

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大小：

    240.84 kb

  • 資料說明：

    RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    PD20010STR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2GHz

  • 增益：

    11dB

  • 額定電流（安培）：

    5A

  • 功率 - 輸出：

    10W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PowerSO-10RF（直引線）

  • 描述：

    TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    瀚佳科技(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生李小姐

  • 手機：

    13827426716/13480654098

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23140719/23915992

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    0755-23140719

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振華路中航苑鼎城大夏1607室

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