首頁>PD20010-E>芯片詳情

PD20010-E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

PD20010-E參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    PD20010-E

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    26800

  • 產(chǎn)品封裝：

    PowerSO

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2223+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-29 8:36:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：PD20010-E品牌：ST/意法

只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)

PD20010-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝PowerSO/PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）的PD20010-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    PD20010-E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    240.84 kb

  • 資料說明：

    RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PD20010-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2GHz

  • 增益：

    11dB

  • 額定電流（安培）：

    5A

  • 功率 - 輸出：

    10W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PowerSO-10RF（成形引線）

  • 描述：

    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市英科美電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    15507502698

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23903058

  • 傳真：

    0755-23905869

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟730

相近型號(hào)