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PD20010STR-E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

PD20010STR-E參考圖片

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原廠(chǎng)料號(hào)：PD20010STR-E品牌：STMicroelectronics

15年原裝正品企業(yè)

PD20010STR-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商STMicroelectronics生產(chǎn)封裝STR/PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(pán)（2 條直引線(xiàn)）的PD20010STR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    PD20010STR-E

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱(chēng)：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    13 頁(yè)

  • 文件大小：

    240.84 kb

  • 資料說(shuō)明：

    RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PD20010STR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類(lèi)型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2GHz

  • 增益：

    11dB

  • 額定電流（安培）：

    5A

  • 功率 - 輸出：

    10W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(pán)（2 條直引線(xiàn)）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PowerSO-10RF（直引線(xiàn)）

  • 描述：

    TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張潔

  • 手機(jī)：

    19168961949

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    19168961949

  • 傳真：

    0755-83998525

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座、B座A座20層2028室

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