PD20010S-E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-意法半導(dǎo)體

原廠料號：PD20010S-E品牌：STMicroelectronics

資料說明：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

PD20010S-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）的PD20010S-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

• 芯片型號：

  pd20010s-e

• 規(guī)格書：

  原廠下載 下載

• 企業(yè)簡稱：

  STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱：

  STMicroelectronics

• 中文名稱：

  意法半導(dǎo)體集團

• 資料說明：

  TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF