PBSS5140V分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PBSS5140V |
參數(shù)屬性 | PBSS5140V 封裝/外殼為SOT-563,SOT-666;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 40V 1A SOT666 |
功能描述 | 40 V low VCEsat PNP transistor |
文件大小 |
47 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
Philips【飛利浦】 |
中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦官網 |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-25 20:00:00 |
PBSS5140V規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
PNP low VCE sat transistor in a SOT666 plastic package. NPN complement: PBSS4140V.
FEATURES
? 300 mW total power dissipation
? Very small 1.6 mm × 1.2 mm × 0.55 mm ultra thin package
? Improved thermal behaviour due to flat leads
? Self alignment during soldering due to straight leads
? Low collector-emitter saturation voltage
? High current capability
APPLICATIONS
? General purpose switching and muting
? LCD back lighting
? Supply line switching circuits
? Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices).
產品屬性
- 產品編號:
PBSS5140V,315
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
310mV @ 100mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 100mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
150MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-563,SOT-666
- 供應商器件封裝:
SOT-666
- 描述:
TRANS PNP 40V 1A SOT666
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS/飛利浦 |
23+ |
NA/ |
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NXP |
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NXP |
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